ผลิตภัณฑ์ทั้งหมด
-
ส่วนประกอบเซรามิกอลูมินา
-
ตัวเรือนเซรามิก
-
เซรามิกส์อลูมินาเคลือบโลหะ
-
ชิ้นส่วนเซรามิกแบบกำหนดเอง
-
อลูมินาเซรามิกฉนวน
-
แหวนเซรามิกอลูมินา
-
เพรสเชอร์เซนเซอร์ เซรามิค
-
เซรามิกส์ทางเทคนิคขั้นสูง
-
เซรามิกส์วิศวกรรมขั้นสูง
-
ฟิวส์เซรามิก
-
บล็อกตัวเชื่อมต่อเซรามิก
-
ส่วนประกอบเซรามิกอิเล็กทรอนิกส์
-
แมกนีตรอนเซรามิค
-
ชิ้นส่วนเซรามิกเซอร์โคเนีย
-
แท่งเซรามิกอลูมินา
-
นายฟานตอบเร็วมาก คุยง่าย! -
คุณแจ็คสันบริการดีเป็นกันเองคุยได้.
ชื่อผู้ติดต่อ :
Yan Lee
หมายเลขโทรศัพท์ :
+8618507388020
วอทส์แอพ :
+8618507388020
ส่วนประกอบเซรามิกไฟฟ้าฉนวนประสิทธิภาพสูง IATF16949
| สถานที่กำเนิด | หูหนาน ประเทศจีน |
|---|---|
| ชื่อแบรนด์ | Antaeus |
| ได้รับการรับรอง | / |
| หมายเลขรุ่น | AD-D030 |
| จำนวนสั่งซื้อขั้นต่ำ | การเจรจาต่อรอง |
| ราคา | negotiable |
| รายละเอียดการบรรจุ | บรรจุภัณฑ์สูญญากาศด้านใน, กล่องด้านนอก |
| เวลาการส่งมอบ | 15-45 วัน |
| เงื่อนไขการชำระเงิน | T/T หรือการเจรจาต่อรอง |
| สามารถในการผลิต | อุปทานเต็มรูปแบบ |
ติดต่อฉันสำหรับตัวอย่างฟรีและคูปอง
วอทส์แอพ:0086 18588475571
วีแชท: 0086 18588475571
สไกป์: sales10@aixton.com
หากคุณมีข้อสงสัย เราพร้อมให้ความช่วยเหลือทางออนไลน์ตลอด 24 ชั่วโมง
xรายละเอียดสินค้า
| ชื่อผลิตภัณฑ์ | ส่วนประกอบเซรามิกอิเล็กทรอนิกส์ / เซรามิกอิเล็กทรอนิกส์ | เนื้อหา Al2O3 | 90% - 99% |
|---|---|---|---|
| แรงดึง | 30 Kpsi - 32 Kpsi | ดัดงอ | 55 Kpsi - 60 Kpsi |
| บีบอัด | 300 Kpsi - 330 Kpsi | ความหนาแน่น | 3.7 กรัม/ซีซี - 3.92 กรัม/ซีซี |
| ความแข็ง | 13.8 HV, Gpa - 18 HV, Gpa | การนำความร้อน | 25 วัตต์/(ม. K) - 32 วัตต์/(ม. K) |
| C.O.T.E | 75 นิ้ว / ใน°C (x10^7) - 78 นิ้ว / ใน°C (x10^7) | อุณหภูมิในการทำงาน | 1500 °C - 1750 °C |
| ค่าคงที่ไดอิเล็กตริก | 9.5 - 9.8 | ปริมาณความต้านทาน | >10^14 โอห์ม-ซม. |
| ความเป็นฉนวน | 16 KV/มม. - 20 KV/มม. | ||
| เน้น | IATF16949 ส่วนประกอบเซรามิกอิเล็กทรอนิกส์,ส่วนประกอบเซรามิกอิเล็กทรอนิกส์หุ้มฉนวน,เซรามิกประสิทธิภาพสูง IATF16949 |
||
รายละเอียดสินค้า
ส่วนประกอบเซรามิกอิเล็กทรอนิกส์ / ชิ้นส่วนอิเล็กทรอนิกส์เซรามิก
1. คำอธิบาย:
ในวงจรอิเล็กทรอนิกส์สมัยใหม่ ตัวเก็บประจุเซรามิกหลายชั้น (MLCC) เป็นส่วนประกอบแบบพาสซีฟที่ขาดไม่ได้สำหรับการผลิตวงจรอิเล็กทรอนิกส์ขนาดเล็กการผลิต MLCC เพิ่มขึ้นทุกปี โดยเฉพาะอย่างยิ่ง MLCC ความจุสูงกำลังค่อยๆ เข้ามาแทนที่ตลาดของแทนทาลัมตัวเก็บประจุMLCC ความจุสูงส่วนใหญ่ใช้อิเล็กโทรดภายในของ Ni และเป็นไปตามข้อกำหนดของ EIA X7R โดยที่ชั้นอิเล็กทริกมีโครงสร้าง 'แกน-เปลือก' (รูปที่ 4) ซึ่งเซรามิกส์ที่ใช้ BT หนึ่งเม็ดประกอบด้วยแกนในของ BT ที่เกือบจะบริสุทธิ์ และเปลือกนอกของ BT พร้อมสารเติมแต่ง [4–7]อย่างไรก็ตาม ปัญหาหลายประการ เช่น ความเป็นฉนวนไม่เชิงเส้น อายุของความจุ ผลกระทบของขนาด และความน่าเชื่อถือ ได้เกิดขึ้นเพื่อป้องกันการเพิ่มความหนาแน่นของความจุเพิ่มเติม
2. ข้อดีของคุณสมบัติ:
1) ความแข็งสูงและความหนาแน่นสูง
2) การนำความร้อนต่ำ
3) ความเฉื่อยของสารเคมี
4) ทนต่อการสึกหรอได้ดี
5) ความเหนียวแตกหักสูง
6) ประสิทธิภาพของฉนวนที่ดี
7) ทนต่ออุณหภูมิสูง
8) ตอบสนองคำขอทางเทคนิคต่างๆ
9) การเน่าเสียปานกลางตอนล่าง
3. วัสดุคุณสมบัติ/คุณสมบัติ:
| สี | สีขาวหรือสีงาช้าง | สีขาวหรือสีงาช้าง | สีขาวหรือสีงาช้าง | |
| ความหนาแน่น | กรัม/ซม. 3 | 3.82 | 3.9 | 3.92 |
| ความแข็ง | HRA | 83 | 85 | 85 |
| ดัดงอความแข็งแกร่ง | Mpa (psi*10 3 ) | 375 | 386 | 381 |
4. พารามิเตอร์ทางเทคนิค:
| พารามิเตอร์ทางเทคนิคของเซรามิกส์ | ||||||||
| รายการ | เงื่อนไขการทดสอบ | หน่วยหรือสัญลักษณ์ | 99% AL2O3 | 95% AL2O3 | 90% AL2O3 | เซอร์โคเนีย | สตีไทต์ | ซิลิคอนคาร์ไบด์ |
| ความหนาแน่นของปริมาตร | -- | g/cm3 | ≥3.70 | ≥3.62 | ≥3.40 | ≥5.90 | ≥2.60 | ≥3.08 |
| ความรัดกุม | -- | ปา·m³/s | ≤1.0×10-11 | ≤1.0×10-11 | ≤1.0×10-11 | - | - | - |
| การซึมผ่านของของเหลว | -- | -- | ผ่าน | ผ่าน | ผ่าน | ผ่าน | - | |
| แรงดัดงอ | - | MPa | ≥300 | ≥280 | ≥230 | ≥1100 | ≥120 | ≥400 |
| โมดูลัสยืดหยุ่น | - | เกรดเฉลี่ย | - | ≥280 | ≥250 | ≥220 | - | 400 |
| อัตราส่วนปัวซอง | - | - | - | 0.20~0.25 | 0.20~0.25 | - | - | - |
| ทนต่อแรงกระแทกจากความร้อน | 800 ℃ (อุณหภูมิห้อง) รอบ: 10 ครั้ง | ผ่าน | ผ่าน | ผ่าน | - | - | - | |
| ค่าสัมประสิทธิ์การขยายตัวเชิงเส้น | 20℃～100℃ | ×10-6 K-1 | - | - | - | ≤8 | - | |
| 20℃～500℃ | ×10-6 K-1 | 6.5～7.5 | 6.5～7.5 | 6.5～7.5 | 6.5～11.2 | - | - | |
| 20℃～800℃ | ×10-6 K-1 | 6.5~8.0 | 6.5~8.0 | 6.3～7.3 | - | 4 | ||
| 20℃～1200℃ | ×10-6 K-1 | - | 7.0～8.5 | - | - | - | - | |
| ค่าสัมประสิทธิ์การนำความร้อน | 20℃ | W/(m·k) | - | - | - | - | - | 90～110 |
| 1000℃ | ||||||||
| ค่าคงที่ไดอิเล็กตริก | 1MHz 20 ℃ | - | 9.0～10.5 | 9.0～10 | 9.0～10 | - | ≤7.5 | - |
| 1MHz 50 ℃ | - | - | 9.0～10 | - | - | - | - | |
| 10GHz 20℃ | - | 9.0～10.5 | 9.0～10 | 9.0～10 | - | - | - | |
| ปริมาณความต้านทาน | 100℃ | Ω·cm | ≥1.0×1013 | ≥1.0×1013 | ≥1.0×1013 | - | ≥1.0×1012 | - |
| 300℃ | ≥1.0×1013 | ≥1.0×1010 | ≥1.0×1013 | - | - | - | ||
| 500℃ | ≥1.0×109 | ≥1.0×108 | -- | - | - | - | ||
| พลังก่อกวน | กระแสตรง | กิโลโวลต์/มม. | ≥17 | ≥15 | ≥15 | - | ≥20 | - |
| ความทนทานต่อสารเคมี | 1:9HCl | mg/c㎡ | ≤0.7 | ≤7.0 | - | - | - | - |
| 10% NaOH | mg/c㎡ | ≤0.1 | ≤0.2 | - | -- | - | - | |
| ขนาดเกรน | - | μm | - | 3~12 | - | - | - | - |
5. กระบวนการไหล:
การกำหนด --- Granulating --- การขึ้นรูป --- การเผา --- การบด --- การพิมพ์ --- การชุบนิกเกิล --- การประกอบ --- การประสาน --- การตรวจสอบ --- การบรรจุ
6. เขตข้อมูลการสมัคร:
ใช้กันอย่างแพร่หลายสำหรับยานพาหนะพลังงานใหม่ กองชาร์จ การผลิตพลังงานแสงอาทิตย์ การจัดเก็บพลังงานและระบบจัดเก็บพลังงาน ระบบไฟฟ้ารถยนต์ไฟฟ้าและอื่นๆ
7. โรงงานผลิต: Prilling Tower , เครื่องขึ้นรูป , เตาเผาผนึกอุณหภูมิสูง
8. อุปกรณ์ตรวจจับ:
เครื่องทดสอบประสิทธิภาพไฟฟ้า , เครื่องวิเคราะห์ความหนาของฟิล์ม , แกรนูโลมิเตอร์ , เครื่องตรวจจับการรั่วไหลของมวลฮีเลียม , เครื่องวัดแรงดึงสากล
9.Order Flow Steps เป็น belows: Inquiry --- Quotation --- Place an order --- Production --- Delivery
10.ข้อดีของเรา: การประกันคุณภาพ ;ราคาที่แข่งขันได้ ;โรงงานซัพพลายโดยตรง ;บริการที่ดี
11.การจัดส่งและบรรจุภัณฑ์:
12. ตลาดเป้าหมายของเรา :
หมายเหตุ: ข้อมูลข้างต้นสำหรับการอ้างอิงเท่านั้นและโปรดติดต่อเราเพื่อขอรายละเอียดเพิ่มเติมได้อย่างอิสระเมื่อคุณมีคำถามใด ๆ !
แนะนำผลิตภัณฑ์